OPA659IDRBR
سازنده:
دستگاه های تگزاس
توضیحات:
تقویت‌کننده‌های عملیاتی پرسرعت با واحد 650 مگاهرتز، آمپر ورودی JFET پایدار به دست می‌آورند
دسته بندی:
IC های مدار یکپارچه
مشخصات
افزایش ولتاژ دسی بل::
58 دسی بل
جریان تامین عملیات::
30.5 میلی آمپر
Ib - جریان تعصب ورودی::
50 pA
سبک نصب::
SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی::
- 40 درجه سانتیگراد
SR - نرخ ضربه::
2550 V/US
بسته / کیس::
VSON-8
حداکثر دمای عملیاتی::
+ 85 درجه سانتیگراد
بسته بندی ::
قرقره
رده محصولات ::
تقویت کننده های عملیاتی با سرعت بالا
سلسله ::
OPA659
GBP - محصول افزایش پهنای باند::
350 مگاهرتز
تعداد کانال ها::
1 کانال
Vos - ولتاژ آفست ورودی::
5 میلی ولت
سازنده ::
دستگاه های تگزاس
CMRR - نسبت رد حالت معمول::
68 دسی بل تا 70 دسی بل
مقدمه
OPA659IDRBR، از دستگاه های تگزاس، تقویت کننده های عملیاتی با سرعت بالا هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
برچسب ها:
IC های مدار یکپارچه
محصولات مرتبط
ISO120G
Isolation Amplifiers Prec Lo Cost Iso Amp
ISO121G
Isolation Amplifiers Prec Lo Cost Iso Amp
AMC1100DWVR
Isolation Amplifiers 4.25kV peak Isolated Amplif Measr 8-SOIC
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
ISO120G |
Isolation Amplifiers Prec Lo Cost Iso Amp
|
|
|
|
ISO121G |
Isolation Amplifiers Prec Lo Cost Iso Amp
|
|
|
|
AMC1100DWVR |
Isolation Amplifiers 4.25kV peak Isolated Amplif Measr 8-SOIC
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: