PTFA191001EV4XWSA1
توضیحات:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
دسته بندی:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
در انبار:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
روش حمل:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - نامی:
65 V
بسته بندی:
سینی
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
H-36248-2
ولتاژ - تست:
30 ولت
مفر:
تکنولوژی های اینفینیون
فرکانس:
1.96 گیگاهرتز
سود:
17 دسی بل
بسته بندی / کیس:
2-Flatpack، Fin Leads
فعلی - تست:
900 میلی آمپر
توان خروجی:
44dBm
تکنولوژی:
LDMOS
رتبه فعلی (آمپر):
10µA
شماره محصول پایه:
PTFA191001
مقدمه
RF Mosfet 30 V 900 mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2
برچسب ها:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: