NE3521M04-T2-A
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
توضیحات:
آی سی HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
دسته بندی:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
در انبار:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
روش حمل:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
پیکربندی:
کانال N
ولتاژ - نامی:
4 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
شکل سر و صدا:
0.85 دسی بل
ولتاژ - تست:
2 V
مفر:
CEL
فرکانس:
20 گیگاهرتز
سود:
11 دسی بل
بسته بندی / کیس:
4-SMD، سرنخ های مسطح
فعلی - تست:
6 میلی آمپر
توان خروجی:
-
تکنولوژی:
GaAs HJ-FET
رتبه فعلی (آمپر):
70 میلی آمپر
مقدمه
RF Mosfet 2 V 6 mA 20GHz 11dB
برچسب ها:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: