IGN1011L70
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
توضیحات:
GAN، TRANSISTOR قدرت RF، L-BAND
دسته بندی:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
در انبار:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
روش حمل:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
پایه شاسی
ولتاژ - نامی:
120 ولت
بسته بندی:
عمده
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
PL32A2
ولتاژ - تست:
50 ولت
مفر:
Integra Technologies Inc.
فرکانس:
1.03 گیگاهرتز ~ 1.09 گیگاهرتز
سود:
22 دسی بل
بسته بندی / کیس:
PL32A2
فعلی - تست:
22 میلی آمپر
توان خروجی:
80 وات
تکنولوژی:
GaN HEMT
رتبه فعلی (آمپر):
-
مقدمه
RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
برچسب ها:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: