MRF8P20165WHSR3
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
توضیحات:
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
دسته بندی:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
در انبار:
در انبار
روش پرداخت:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
روش حمل:
LCL، AIR، FCL، Express
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - نامی:
65 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
پیکربندی:
دوگانه
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
NI-780S-4L
ولتاژ - تست:
28 V
مفر:
شرکت ایالات متحده آمریکا
فرکانس:
1.98 گیگاهرتز ~ 2.01 گیگاهرتز
سود:
14.8 دسی بل
بسته بندی / کیس:
NI-780S-4L
فعلی - تست:
550 میلی آمپر
توان خروجی:
37 وات
تکنولوژی:
LDMOS
رتبه فعلی (آمپر):
-
شماره محصول پایه:
MRF8
مقدمه
RF Mosfet 28 V 550 mA 1.98GHz ~ 2.01GHz 14.8dB 37W NI-780S-4L
برچسب ها:
دستگاه های نیمه هادی گسسته
ارسال RFQ
ذخایر:
In Stock
مقدار تولیدی: